Транзистор, наричана също биполярен транзистор, еквивалент на две обратно диод PN кръстовище. Напред пристрастие EB възел дупки инжектира от региона на излъчвател, през който повечето от границата на дупка, за да достигне колектор и ЦБ в обратен пристрастие кръстовище преграда под действието на електрично поле достигне региона на колектора, образуват колектор текущата IC. В схема Общ емитер транзистор, стартира в базовата верига е състезателни да повлияя на напрежение капка е много малък.
500 ω колектор там е пад на напрежение в съпротивляемост VRC = 10mA * 500 ω = 5V, транзистор пад на напрежение между колектор и емитер за VCE = 5V, ако променлив база, стифиране в пристрастие схема за малки текущата IБ, се появява в колекторната верига съответните променлив ток IC, c/IB = бета, биполярен транзистор #39; s текущата усилване се реализира.
Повечето от колектора пристрастие напрежение между излъчвател и се добавя на обратната предубедени колектора. Тъй като VBE е много малка, така че сегашната основата е приблизително IB = 5V / 50k ω = 0.1mA. Ако транзистора #39; s излъчвател текущата усилвателна коефициент β = IC/IB = 100, колектор текущата IC = бета * IB = 10mA.